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首頁 行業(yè)動態(tài) 英特爾QLC數(shù)據(jù)中心SSD開始量產(chǎn),明年機械硬盤或?qū)⑷嫱艘?
英特爾QLC數(shù)據(jù)中心SSD開始量產(chǎn),明年機械硬盤或?qū)⑷嫱艘?/div>
2018-09-23

7月19日,英特爾通過推特宣布:第一個針對數(shù)據(jù)中心而研制的QLC固態(tài)硬盤已開始量產(chǎn),隨后東芝和西部數(shù)據(jù)也紛紛發(fā)布了自己的QLC閃存進展通告,QLC之戰(zhàn)正式展開。

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SSD行業(yè)目前已全面向TLC閃存過渡,SSD定價已經(jīng)大幅下滑。TLC閃存每個單元存儲3bit,比上一代閃存更密集,更便宜。而QLC閃存每個單元存儲4bit,它的誕生有望帶來更低的價格和更高容量SSD。但QLC閃存需要權(quán)衡利弊,額外33%的存儲密度提升導(dǎo)致耐用性和性能下降,但是3D NAND技術(shù)可以讓包括臺式PC、圖形工作站在內(nèi)的設(shè)備性能更高。


幾個月前美光公司宣布推出業(yè)界第一款QLC固態(tài)硬盤產(chǎn)品,英特爾隨之推出了自己的QLC固態(tài)產(chǎn)品,從外觀上看類似英特爾的2.5寸 U.2固態(tài)硬盤。最新的QLC SSD將配備PCIe接口,并支持NVMe協(xié)議。英特爾表示8月將在閃存峰會上分享更多關(guān)于QLC SSD的細節(jié),并將其納入英特爾數(shù)據(jù)中心D5系列。


東芝和西數(shù)宣布了共同研制的3D QLC NAND,新的96層BiCS4閃存的密度為每個芯片1.33TB。SSD每個封裝最多可提供16個裸片閃存,意味著東芝和WD將很快能夠?qū)⒏哌_2.66TB的存儲封裝到單個NAND封裝中。西數(shù)計劃于9月開始對BiCS4 QLC NAND進行抽樣,并將于2019年初開始批量生產(chǎn)。

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在過去幾年中,SSD已經(jīng)慢慢占據(jù)了機械硬盤的市場份額,而且由于需求減少,WD甚至決定關(guān)閉一些主要的機械硬盤生產(chǎn)廠。隨著中國長江儲存技術(shù)工廠開始量產(chǎn)3D NAND,固態(tài)硬盤價格繼續(xù)大幅下挫,許多分析公司預(yù)計固態(tài)硬盤會出現(xiàn)更大跌幅。據(jù)報道,三星也準備大幅增加其NAND產(chǎn)量,為此2019年的支出也將增加26億美元。明年將迎來屬于QLC固態(tài)硬盤的一年,也可能是SSD將HDD完全從主要存儲角色中完全剝離出來的一年。

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