由于制程工藝的停滯不前，幾十年來一直遵循的摩爾定律被悄然打破，14nm工藝三代平臺(tái)使用，這對(duì)于整個(gè)PC行業(yè)來說是一次原地踏步，也可以說是倒退。早在2年前，就有消息傳出英特爾已成功研發(fā)出10nm甚至7nm制程，經(jīng)過漫長(zhǎng)的等待，近日intel（英特爾）正式公布了10納米工藝制程，采用超微縮技術(shù) （hyper scaling），充分運(yùn)用了多圖案成形設(shè)計(jì) （multi-patterning schemes），可獲得更小的體積，邏輯晶體管密度提高了2.7倍，有效降低產(chǎn)品成本和功耗。官方表示相關(guān)產(chǎn)品會(huì)在Cannon Lake移動(dòng)平臺(tái)上采用，將在2017年年底開始量產(chǎn)，2018年能看到，而桌面級(jí)Ice Lake會(huì)在2018年第二季度看到。
新的10nm制程工藝最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達(dá)到每平方毫米1.008億個(gè)晶體管，是14納米制程的2.7倍，是市場(chǎng)中已知三星和臺(tái)積電10納米的2倍，單位體積下能塞下更多晶體管。性能能耗表現(xiàn)，相比14納米制程，英特爾10納米制程提升高達(dá)25%的性能和降低45%的功耗，對(duì)比臺(tái)積電、三星等優(yōu)勢(shì)明顯。另外，英特爾還表示，7nm工藝技術(shù)研發(fā)已完成，不久將來會(huì)看到，而5nm已經(jīng)在研發(fā)，至于3nm他們也表示異常艱難，這是硅基半導(dǎo)體的極限，不過英特爾明確表示會(huì)繼續(xù)挑戰(zhàn)極限。
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