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       英特爾正式發(fā)布了全球首批基于34nm MLC NAND閃存新工藝的固態(tài)硬盤。但是對于英特爾而言，已經(jīng)不僅僅是將固態(tài)硬盤向34nm制程工藝發(fā)展，而且在努力使其在不增加容量的前提下更快，更廉價的產(chǎn)品。

　    生產(chǎn)工藝的進(jìn)步加上新版控制器和固件，使得34nm X25-M固態(tài)硬盤的性能有了不小的提升，英特爾推出的X25-M和X18-M產(chǎn)品有80和160GB的容量，其使用2-bit 50nm的多級單元技術(shù)。32GB和64GB的X25-E為單級單元，單級單元的速度要超過多級單元。

       英特爾34nm固態(tài)盤 英特爾副總裁兼NAND解決方案總經(jīng)理Randy Wilhelm表示，“我們的目標(biāo)不僅是第一個實現(xiàn)34nm NAND固態(tài)盤的推廣，更是要提供用戶比50納米版本更好的表現(xiàn)性能” 　　

       不過目前只有X25-M系列產(chǎn)品會采用34nm進(jìn)程。另外據(jù)英特爾表示，新34nm X25-M固態(tài)盤將兼容目前所有50nm系列版本，并會繼續(xù)向下兼容以取代現(xiàn)有的硬盤。多級單元(MLC)固態(tài)盤提供80GB和160GB的版本。 另外，新的Intel X25-M系列產(chǎn)品改進(jìn)的延遲和更快的隨機(jī)IOPS，由于外殼采用的是硅脂，那樣就將成本大大削減了60%。相比50nm系列版本，新的固態(tài)硬盤預(yù)計將減少延遲25％，4KB隨機(jī)讀取性能提升至35000 IOPS，而4KB隨機(jī)寫入性能亦提升至6600 IOPS(80GB)、8600 IOPS(160GB)。 　　

      此外，英特爾還將發(fā)布新固件以支持Windows 7 TRIM指令，并且還會發(fā)放優(yōu)化工具以提升在XP/Vista系統(tǒng)下的性能。80GB為225美元，160GB為440美元。