持續(xù)創(chuàng)新才能保持步步領(lǐng)先 目前金融危機(jī)的多米諾骨牌效應(yīng)開始在全球經(jīng)濟(jì)的各個方面逐步顯現(xiàn)出來，大多數(shù)行業(yè)都或多或少收緊自己的錢袋。面對這樣的不景氣，英特爾的一貫做法就是堅持創(chuàng)新和及時推出新產(chǎn)品，我們堅信唯有創(chuàng)新才可能撥云見日，率先走出不景氣。 "無論發(fā)生什么，走出經(jīng)濟(jì)不景氣的唯一途徑就是推出新產(chǎn)品和新技術(shù)。
"----英特爾的前領(lǐng)導(dǎo)人貝瑞特博士在歷次的經(jīng)濟(jì)衰退中說過類似的話。基于這種理念，英特爾公司在一如既往地投入大量資金和人員開發(fā)新技術(shù)和推出新產(chǎn)品。 有什么樣的新技術(shù)和新產(chǎn)品可以幫助公司及其合作伙伴率先走出經(jīng)濟(jì)不景氣的陰霾呢？對于2009年而言，32納米技術(shù)的如期推出無疑是其中最為令人振奮和激動的消息之一。
我們在2月11日對外正式公布了32納米(32nm)處理器的最新進(jìn)程以及產(chǎn)品細(xì)節(jié)，全球首顆可以真正運行的32納米處理器依然來自英特爾公司。32納米處理器量產(chǎn)已經(jīng)就緒，具體時間表也基本確定。 英特爾公司的45納米制造工藝領(lǐng)先業(yè)界一年以上投入量產(chǎn)，并于2008年第三季度產(chǎn)能超過以前的65納米制造工藝。
今天，我們宣布32納米制造工藝已準(zhǔn)備就緒了， 而且相信我們32納米量產(chǎn)的時間會保持同45納米一樣領(lǐng)先業(yè)界一年以上。 人們耳際還回響著"45納米技術(shù)"，怎么英特爾公司這么快就要轉(zhuǎn)向"32納米技術(shù)"？如果熟悉英特爾在2006年提出的"Tick-Tock"模式，就不驚訝了。
這只是英特爾公司按部就班地依照"Tick-Tock"模式和節(jié)奏進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品的開發(fā)。有人也把這個"嘀嗒"模式稱為"鐘擺"模式。這個模式表明英特爾未來技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)模式以兩年為一個周期。Tick和Tock都是技術(shù)向前邁進(jìn)的一大步，Tock意味著處理器微架構(gòu)的更新?lián)Q代，Tick意味著處理器制造工藝的更新?lián)Q代。
例如： - Tock(2006年，偶數(shù)年) - 發(fā)布酷睿微架構(gòu)，延續(xù)之前的65納米制造工藝 - Tick (2007年，奇數(shù)年) - 45納米制造工藝開始量產(chǎn)，延續(xù)酷睿微架構(gòu) - Tock(2008年，偶數(shù)年) - 發(fā)布Nehalem 微架構(gòu)，延續(xù)45納米制造工藝 - Tick (2009年，奇數(shù)年) - 32納米制造工藝開始量產(chǎn)，延續(xù)Nehalem微架構(gòu) - Tock(2010年，偶數(shù)年) - 發(fā)布Sandy Bridge微架構(gòu)，延續(xù)32納米制造工藝 - Tick (2011年，奇數(shù)年) - 22納米制造工藝開始量產(chǎn)，延續(xù)Sandy Bridge 微架構(gòu) ............ 今年是Tick 模式的一年，按照慣例32納米技術(shù)將在2009年第4季度和2010年年初這段時間里開始量產(chǎn)。
英特爾32納米技術(shù)，半導(dǎo)體業(yè)界的新路標(biāo) 那么英特爾32納米技術(shù)和英特爾45納米技術(shù)相比又有什么巨大進(jìn)步呢？ 先來看第一個問題，英特爾32納米技術(shù)和之前的45納米技術(shù)相比，有以下這些巨大的進(jìn)步：
1. 采用了第二代高-K金屬柵極晶體管技術(shù)：業(yè)界最短的柵極長度 - 用于高K材料的等價氧化物(電介質(zhì))的厚度從45納米工藝時的1納米縮小至0.9納米，柵極長度縮小到了30納米，所以單位面積可以集成更多晶體管。處理器的同比封裝尺寸將是45nm產(chǎn)品的70%。 - 采用了第4代應(yīng)變硅，電子在晶體管中的流通更順暢，阻力更小，耗電更低。
2. 業(yè)界最窄的柵極間距 - 晶體管的柵極間距只有112.5納米，為目前業(yè)界最緊湊的柵極間距。 - 雖然間距更窄了，但是漏電流卻得到了更有效的控制，和45納米技術(shù)相比，PMOS型晶體管的漏電量減少到原來的十分之一，NMOS型晶體管的漏電量降到原來的五分之一。無效功耗降到更低的水平。
3. 目前半導(dǎo)體晶體管技術(shù)中最為有效的晶體管驅(qū)動電流，高能效。 上面三項技術(shù)都創(chuàng)造了半導(dǎo)體業(yè)界的最新紀(jì)錄。
4. 在臨界層上使用浸沒式光刻技術(shù)，蝕刻電路更加精細(xì)和精確。
5. 晶體管性能提升22%，令人側(cè)目。
6. 9個銅導(dǎo)線低-k互連層，更低電阻率。
7. 無鉛、無鹵素的封裝，綠色產(chǎn)品，更加環(huán)保。 英特爾32納米技術(shù)的優(yōu)勢和成熟度，讓32納米處理器能以不低于45納米時代的速度高良率量產(chǎn)，甚至可以超過45納米的量產(chǎn)速度。英特爾公司將再次向人們詮釋"摩爾定律"的神奇之處----最新的32納米處理器更小，更快，更強(qiáng)，更高能效。 集成圖形芯片的32納米處理器 Clarkdale 依照慣例，英特爾會把最新最先進(jìn)的制造工藝運用于處理器的生產(chǎn)和制造，32納米到之時也不例外。
英特爾32納米技術(shù)將應(yīng)用于研發(fā)代號為Westmere的系列處理器產(chǎn)品，其中有一類研發(fā)代碼為Clarkdale的新處理器，不但包含CPU內(nèi)核，還把英特爾的圖形芯片集成在處理器的封裝中，采用的是雙芯片方案： Clarkdale = 32納米的Nehalem + 45納米英特爾圖形芯片/內(nèi)存控制器 Clarkdale處理器增加了圖形芯片和內(nèi)存控制器，傳統(tǒng)雙芯片芯片組(北橋芯片+南橋芯片)的平臺也就不適用了，因此英特爾設(shè)計了平臺的單芯片方案----英特爾 5x系列芯片組(目前的X58除外)，如Intel P55，沒有南北橋之分了。
投資70億美元，預(yù)計將有4座32納米工廠投產(chǎn) 每次制造工藝升級改造的投入都是巨大的，英特爾在未來一年半到兩年內(nèi)上馬四座晶圓芯片廠。位于美國俄勒岡州的D1D芯片廠 和D1C芯片廠，D1D目前已經(jīng)試產(chǎn)，D1C將于2009年第四季度投入使用。2010年，將再建兩座芯片廠----亞利桑那州的Fab 32和位于新墨西哥州的Fab 11X。 由此可見，32納米時代將如期而至，雖然今天45納米還如日中天，但是它和它的前輩65納米一樣，最終只能讓位于后起之秀、更加先進(jìn)的32納米。
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