2008 年 12 月 9 日，美國加州圣克拉拉 —— 英特爾公司完成了下一代制造工藝的開發(fā)工作，進(jìn)一步把芯片電路縮小至 32 納米。英特爾計(jì)劃將于 2009 年第四季度推出基于高能效、更密集的晶體管的產(chǎn)品。
英特爾公司將于下周在舊金山舉行的國際電子器件會(huì)議（IEDM）上披露 32 納米制程技術(shù)的相關(guān)細(xì)節(jié)及其它主題信息。英特爾將在預(yù)定時(shí)間內(nèi)完成 32 納米制程技術(shù)的開發(fā)及處理器制造的前期準(zhǔn)備工作，這意味著其產(chǎn)品與制程發(fā)展計(jì)劃“Tick-tock” 戰(zhàn)略再次得以成功實(shí)施。
“Tick-tock” 戰(zhàn)略指英特爾每隔 12 個(gè)月將交替推出全新的處理器微架構(gòu)和領(lǐng)先的制程技術(shù)，這一獨(dú)特的發(fā)展模式推動(dòng)了產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。隨著明年 32 納米芯片的推出，這將是英特爾公司連續(xù)第四年實(shí)現(xiàn)“Tick-tock” 戰(zhàn)略目標(biāo)。 英特爾即將發(fā)布的 32 納米論文及報(bào)告介紹了新的邏輯技術(shù)，融合了第二代高 K 金屬柵極技術(shù)、面向關(guān)鍵圖案形成層的 193 納米浸沒式光刻技術(shù)以及增強(qiáng)型溝道應(yīng)變技術(shù)。這些特性進(jìn)一步增強(qiáng)了英特爾處理器的性能和能效。
與現(xiàn)有的其它 32 納米技術(shù)相比，英特爾的制程技術(shù)擁有業(yè)內(nèi)最高的晶體管性能和晶體管密度。 英特爾高級(jí)院士兼制程架構(gòu)與集成總監(jiān)馬博（Mark Bohr）表示：“對(duì)于基于英特爾架構(gòu)的筆記本電腦、服務(wù)器和臺(tái)式機(jī)，我們的制造能力和產(chǎn)品能夠?yàn)槠鋵?shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的計(jì)算性能和電池續(xù)航能力。正如我們今年所展示的，英特爾的制造戰(zhàn)略和執(zhí)行能力還讓我們能夠?yàn)橐苿?dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備（MID）、消費(fèi)電子設(shè)備、嵌入式計(jì)算機(jī)和上網(wǎng)本等提供全新的產(chǎn)品線?！?英特爾在 IEDM 上發(fā)表的其它論文涉及：一款低功率 SoC 版英特爾 45 納米制程；基于復(fù)合半導(dǎo)體的晶體管；提升 45 納米晶體管性能的襯底工程；為 45 納米和更高節(jié)點(diǎn)集成化學(xué)機(jī)械拋光；以及集成硅光電子調(diào)制器陣列。英特爾還將參與一個(gè)有關(guān) 22 納米 CMOS 技術(shù)的短期課程。
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