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首頁(yè) 技術(shù)知識(shí) 內(nèi)存術(shù)語(yǔ):Bank(內(nèi)存庫(kù))
內(nèi)存術(shù)語(yǔ):Bank(內(nèi)存庫(kù))
2017-50-31

       Bank (內(nèi)存庫(kù)) 在內(nèi)存行業(yè)里,Bank至少有三種意思,所以一定要注意。 

       1、在SDRAM內(nèi)存模組上,"bank 數(shù)"表示該內(nèi)存的物理存儲(chǔ)體的數(shù)量。(等同于"行"/Row) 

       2、Bank還表示一個(gè)SDRAM設(shè)備內(nèi)部的邏輯存儲(chǔ)庫(kù)的數(shù)量。(現(xiàn)在通常是4個(gè)bank)。 

       3、它還表示DIMM 或 SIMM連接插槽或插槽組,例如bank 1 或 bank A。

       這里的BANK是內(nèi)存插槽的計(jì)算單位(也叫內(nèi)存庫(kù)),它是電腦系統(tǒng)與內(nèi)存之間數(shù)據(jù)總線的基本工作單位。只有插滿一個(gè)BANK,電腦才可以正常開(kāi)機(jī)。舉個(gè)例子,奔騰系列的主板上,1個(gè)168線槽為一個(gè)BANK,而2個(gè)72線槽才能構(gòu)成一個(gè)BANK,所以72線內(nèi)存必須成對(duì)上。

       原因是,168線內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是64位,而72線內(nèi)存是32位的。主板上的BANK編號(hào)從BANK0開(kāi)始,必須插滿BANK0才能開(kāi)機(jī),BANK1以后的插槽留給日后升級(jí)擴(kuò)充內(nèi)存用,稱做內(nèi)存擴(kuò)充 槽。                               

      內(nèi)存BANK詳解 隨著內(nèi)存價(jià)格的下調(diào),不少網(wǎng)友都為自己的機(jī)器配置了高容量?jī)?nèi)存,增大內(nèi)存容量不但可以提高讀寫(xiě)速度,而且會(huì)適當(dāng)?shù)奶岣呦到y(tǒng)性能;但是,單條大容量?jī)?nèi)存在一些主板上(時(shí)間比較長(zhǎng)的主板)不是無(wú)法識(shí)別,就是識(shí)別錯(cuò)誤(容量識(shí)別錯(cuò)誤)。具體是什么原因造成的呢?首先我們了解一些內(nèi)存的知識(shí),相信網(wǎng)友會(huì)在其中找到答案的。

      一.內(nèi)存芯片的邏輯BANK   

      我們知道主板上使用的32MB/64MB/128MB的內(nèi)存條都是由若干內(nèi)存芯片焊接在4層或6層電路板上組成的,因此首先我們必須對(duì)內(nèi)存芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有個(gè)清楚的認(rèn)識(shí),見(jiàn)下圖: [img=upload/20081223111716-0.gif] [img=upload/20081223111737-0.gif][img=upload/20081223111744-0.gif]   在芯片的內(nèi)部,內(nèi)存的數(shù)據(jù)是以位(bit)為單位寫(xiě)入一張大的矩陣中,每個(gè)單元我們稱為CELL,只要指定一個(gè)行(Row),再指定一個(gè)列(Column),就可以準(zhǔn)確地定位到某個(gè)CELL,這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理。這個(gè)陣列我們就稱為內(nèi)存芯片的BANK,也稱之為邏輯BANK(Logical BANK)。由于工藝上的原因,這個(gè)陣列不可能做得太大,所以一般內(nèi)存芯片中都是將內(nèi)存容量分成幾個(gè)陣列來(lái)制造,也就是說(shuō)存在內(nèi)存芯片中存在多個(gè)邏輯BANK,隨著芯片容量的不斷增加,邏輯BANK數(shù)量也在不斷增加,目前從32MB到1GB的芯片基本都是4個(gè),只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的還是2個(gè)邏輯BANK的設(shè)計(jì),譬如三星的兩種16MB芯片:K4S161622D (512K x 16Bit x 2 BANK)和K4S160822DT(1M x 8Bit x 2 BANK)。芯片組本身設(shè)計(jì)時(shí)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只允許對(duì)一個(gè)邏輯BANK進(jìn)行xx作(實(shí)際上芯片的位寬就是邏輯BANK的位寬),而不是芯片組對(duì)內(nèi)存芯片內(nèi)所有邏輯BANK同時(shí)xx作。邏輯BANK的地址線是通用的,只要再有一個(gè)邏輯BANK編號(hào)加以區(qū)別就可以了(BANK0到BANK3)。但是這個(gè)芯片的位寬決定了一次能從它那里讀出多少數(shù)據(jù),并不是內(nèi)存芯片里所有單元的數(shù)據(jù)一次全部能夠讀出,下圖就是一個(gè)容量為32MB(256Mbit)內(nèi)存芯片內(nèi)部邏輯BANK結(jié)構(gòu)示意圖,從中你可以更清楚邏輯BANK的結(jié)構(gòu)。 

       圖中可以看出,DQ數(shù)據(jù)輸入/輸出線只有8根而不是32根,可以發(fā)現(xiàn)4個(gè)BANK是分時(shí)工作的,任一時(shí)刻只可能有一個(gè)BANK的數(shù)據(jù)被存取,0-3是它們的編號(hào)。每個(gè)邏輯BANK有8M個(gè)單元格(CELL),一些廠商(比如現(xiàn)代/三星)就把每個(gè)邏輯BANK的單元格數(shù)稱為數(shù)據(jù)深度(Data Depth),每個(gè)單元由8bit組成,那么一個(gè)邏輯BANK的總?cè)萘烤褪?4Mbit(8M×8bit),4個(gè)邏輯BANK就是256Mbit,因此這顆芯片的總?cè)萘烤褪?56Mbit(32MB)。   

       內(nèi)存芯片的容量是一般以bit為單位的。比如說(shuō)32Mbit的芯片,就是說(shuō)它的容量是32Mb(b=bit=位),注意位(bit)與字節(jié)(Byte)區(qū)別,這個(gè)芯片換算成字節(jié)就是4MB(B=Byte=字節(jié)=8個(gè)bit),一般內(nèi)存芯片廠家在芯片上是標(biāo)明容量的,我們可以芯片上的標(biāo)識(shí)知道,這個(gè)芯片有幾個(gè)邏輯BANK,每個(gè)邏輯bank的位寬是多少,每個(gè)邏輯BANK內(nèi)有多少單元格(CELL),比如目前目前64MB和128MB內(nèi)存條常用的64Mbit的芯片就有如下三種結(jié)構(gòu)形式: ①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4] ②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8] ③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]   

       表示方法是:每個(gè)邏輯BANK的單元格數(shù)×邏輯BANK數(shù)量×每個(gè)單元格的位數(shù)(芯片的位寬)。芯片邏輯BANK位寬目前的工藝水平只能最多做到16位,因此大家看到幾乎所有的芯片邏輯BANK位寬只可能4/8/16三者之一。以前16Mbit的芯片基本采用的單個(gè)芯片兩個(gè)邏輯BANK,但是到了64Mbit基本就都是4個(gè)邏輯BANK設(shè)計(jì)了,今后隨著生產(chǎn)工藝水平的提高估計(jì)單個(gè)芯片8個(gè)甚至16個(gè)邏輯BANK的出現(xiàn)也不是沒(méi)有可能.   二.內(nèi)存條的物理BANK   

       通常主板上的每個(gè)內(nèi)存插槽分為兩段,這個(gè)大家從VIA主板BIOS設(shè)置中的BANK 0/1 DRAM Timing選項(xiàng)很容易推理得到,實(shí)際上也就是兩個(gè)BANK,不過(guò)這里的BANK概念與我們前面分析芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)時(shí)提到的BANK可不一樣。簡(jiǎn)單地說(shuō)這個(gè)BANK就是內(nèi)存和主板上的北橋芯片之間用來(lái)交換數(shù)據(jù)的通道,目前以SDRAM系統(tǒng)為例,CPU與內(nèi)存之間(就是CPU到DIMM槽)的接口位寬是64bit,也就意味著CPU一次會(huì)向內(nèi)存發(fā)送或從內(nèi)存讀取64bit的數(shù)據(jù),那么這一個(gè)64bit的數(shù)據(jù)集合就是一個(gè)內(nèi)存條BANK,很多廠家的產(chǎn)品說(shuō)明里稱之為物理BANK(Physical BANK),目前絕大多數(shù)的芯片組都只能支持一根內(nèi)存包含兩個(gè)物理BANK,但是針對(duì)某個(gè)具體的條子,很多人想當(dāng)然,認(rèn)為每個(gè)DIMM插槽使用內(nèi)存條的面數(shù)來(lái)區(qū)分占用幾個(gè)BANK通道,單面的(16M,64M)只占用一個(gè)物理BANK,而雙面的(32M,128M)則需占用兩個(gè)物理BANK。實(shí)際上物理BANK與面數(shù)是無(wú)關(guān)的,PCB電路可以設(shè)計(jì)成雙面和單面,也可把全部芯片(16顆)放在一面上(至少?gòu)睦碚撋鲜峭耆赡埽S行﹥?nèi)存條單面就是一個(gè)物理BANK,但有些雙面才是一個(gè)物理BANK,所以不能一概而論。前一陣鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)的大度256MB內(nèi)存條就是一個(gè)典型的例子,雖然是雙面并多達(dá)16枚芯片,但仍然是單個(gè)物理BANK的。要準(zhǔn)確知道內(nèi)存條實(shí)際物理BANK數(shù)量,我們只要要將單個(gè)芯片的邏輯BANK數(shù)量和位寬以及內(nèi)存條上芯片個(gè)數(shù)搞清楚。各個(gè)芯片位寬之和為64就是單物理BANK,如果是128就是雙物理BANK。目前的芯片組最多支持2個(gè)物理BANK。所以內(nèi)存廠家生產(chǎn)的內(nèi)存條都不可能超過(guò)2個(gè)物理BANK。   

        CPU一次只能對(duì)一個(gè)物理BANK進(jìn)行訪問(wèn)和xx作(因?yàn)橐粋€(gè)物理BANK是64bit的位寬),那么內(nèi)存條要保證一個(gè)周期內(nèi)向數(shù)據(jù)總線提供或接收64bit的數(shù)據(jù),而這些數(shù)據(jù)都是分別存儲(chǔ)在內(nèi)存條的的芯片中。那么內(nèi)存條中有多個(gè)內(nèi)存芯片,這64位數(shù)據(jù)到底是有一個(gè)芯片提供還是由所有芯片每個(gè)提供一部分呢?我們還是以上面的那顆256Mbit的芯片為例,根據(jù)芯片組的工作原理,目前還沒(méi)有那家芯片生產(chǎn)廠家做出位寬16位以上的芯片,所以現(xiàn)在的芯片組設(shè)計(jì)時(shí)都是要求內(nèi)存條上每個(gè)芯片均承擔(dān)提供數(shù)據(jù)的任務(wù),也就是說(shuō)內(nèi)存條上的每個(gè)芯片都要要對(duì)這64位數(shù)據(jù)做貢獻(xiàn),而那顆內(nèi)存芯片的位寬是8位,因此用這個(gè)芯片組成內(nèi)存條只需要8顆芯片即完成了64位數(shù)據(jù)并發(fā)任務(wù),算下來(lái),內(nèi)存條的容量就是32 MB (256Mbit)×8=256MB的容量,假如是內(nèi)存芯片的位寬是4位,那么需要的芯片數(shù)量必須是16顆,這時(shí)假如使用八顆位寬還是8位的64MB(512bit)芯片(單個(gè)芯片的總?cè)萘糠艘环┙M裝,盡管內(nèi)存條上的總?cè)萘窟_(dá)到了256MB的要求,還是由于位寬不夠是不能正常工作。要能工作就必須采用16位位寬的64MB(512bit)芯片。   

       586以上電腦的數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit,即每次讀取內(nèi)存為64bit,SDRAM內(nèi)存條的設(shè)計(jì)帶寬也是64bit,內(nèi)存條的帶寬為條上各個(gè)內(nèi)存芯片的帶寬之和,基本條件為帶寬之和應(yīng)等于64bit或其倍數(shù)。假如出現(xiàn)了各個(gè)芯片位寬之和等于128。則分成兩個(gè)64位,當(dāng)讀取一個(gè)64位部分時(shí),另一個(gè)64位部分就不能讀取,通常很多廠家就分別將這兩部分放在內(nèi)存的兩面上。這就造成了許多人的錯(cuò)覺(jué):雙面是兩個(gè)BANK的,單面是一個(gè)BANK的。實(shí)際根本不能這樣認(rèn)識(shí),比如大度256MB內(nèi)存,盡管兩面16個(gè)芯片,但是由于內(nèi)存芯片的位寬是4位(32Mbit×4),所以必須要有4×16=64才能達(dá)到系統(tǒng)所要求的位寬。這時(shí)由于芯片大小的限制,不可能將16顆芯片都放在一面上,所以只能設(shè)計(jì)成雙面。對(duì)于64Mbit芯片 (4M*16) 來(lái)說(shuō),芯片帶寬16bit,8顆芯片帶寬=16*8=128bit(即兩個(gè)BANK),4顆芯片帶寬=16*4=64bit(即一個(gè)BANK)。兩個(gè)物理BANK的情況只有出現(xiàn)在位寬超出了64位的情況下(即位寬出現(xiàn)了富余),由于芯片組任一時(shí)刻只能處理一個(gè)64位,所以才分成兩個(gè)物理BANK。今后隨著新一代數(shù)據(jù)總線位寬的提高,也許CPU的胃口就不是一次只能64位數(shù)據(jù)了,可能是128位甚至更多。   

       另外我們常說(shuō)的內(nèi)存交錯(cuò)設(shè)置并不是指的物理BANK的交錯(cuò)。也就是說(shuō)不是內(nèi)存條雙面的交錯(cuò),而是指內(nèi)存芯片內(nèi)部邏輯BANK的交錯(cuò),如果芯片有4個(gè)BANK,那么就可以進(jìn)行4路交錯(cuò),如果只有兩個(gè)BANK就只能是二路交錯(cuò)。很多資料介紹的以內(nèi)存條的單面或雙面來(lái)決定交錯(cuò)是錯(cuò)誤的,實(shí)際上就是混淆了物理BANK和邏輯BANK的區(qū)別。 三.有關(guān)內(nèi)存BANK的幾個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題釋疑   

       我們透徹地了解了上面介紹的物理BANK和邏輯BANK的概念之后,就不難對(duì)目前有關(guān)動(dòng)態(tài)內(nèi)存的幾個(gè)熱點(diǎn)問(wèn)題做出解釋了。 1.大容量?jī)?nèi)存不能為某些主板正確識(shí)別原因   

       系統(tǒng)在啟動(dòng)時(shí),主板的北橋芯片會(huì)偵測(cè)這些內(nèi)存條的參數(shù),如果果發(fā)現(xiàn)位寬不支持,則終止檢測(cè),系統(tǒng)就掛了。因?yàn)槲粚挍Q定了一次CPU一次向內(nèi)存芯片傳遞的數(shù)據(jù)量,只能一次64位數(shù)據(jù)并發(fā)。接下來(lái)檢測(cè)BANK的單元格總數(shù),如果這個(gè)單元格的數(shù)量超出了芯片組所支持的上限,那么就按芯片組所能支持的最大限度進(jìn)行xx作,在確定了數(shù)據(jù)深度/位寬之后再結(jié)合邏輯BANK數(shù)量,計(jì)算出芯片的實(shí)際可用總?cè)萘?。換句話說(shuō)邏輯BANK中的一些行與列可能就用不上了,假如芯片組對(duì)邏輯BANK數(shù)量不支持,那么多出來(lái)的邏輯BANK也將不起作用,后者的情況比較少見(jiàn),現(xiàn)在的芯片組基本全是支持4BANK的。VIA的KT133芯片組甚至明確表示支持8BANK。   

       我們說(shuō)內(nèi)存識(shí)別出現(xiàn)問(wèn)題,主要就是卡在芯片的這三個(gè)參數(shù)上,其中又以芯片的數(shù)據(jù)深度限制最為常見(jiàn)。事實(shí)上現(xiàn)在很多大容量?jī)?nèi)存不能為一些舊型號(hào)主板支持的主要原因就是芯片組對(duì)內(nèi)存芯片的邏輯BANK數(shù)據(jù)深度有一定限制。我們知道芯片的容量主要由三個(gè)參數(shù)決定,也就是根據(jù)第一部分介紹的公式,首先是邏輯BANK的單元格數(shù)(數(shù)據(jù)深度),其次是邏輯BANK的位數(shù)。最后是邏輯BANK的個(gè)數(shù)。三者相乘得到芯片的容量,大家看到大度內(nèi)存256MB為什么不能在440BX上用,就是由于BX芯片組只支持內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)深度為4M,而不是8M,所以大度條子的內(nèi)存芯片在BX板上被識(shí)別成4×4×4=64Mbit(8MB),而不是本來(lái)的8×4×4=128Mbit(16MB),現(xiàn)在很多大容量的內(nèi)存沒(méi)有在BANK數(shù)和位寬上提高多少,基本都是增加芯片的數(shù)據(jù)深度,而這是需要芯片組支持的,象INTEL的LX/BX/810/815等都只能支持最大4M(INTEL想讓大家去選擇P4+850+RDRAM的組合??!司馬昭之心,路人皆知?。?,而目前VIA系列的幾款芯片組支持芯片任意位寬(盡管目前大部分內(nèi)存芯片的位寬最高只有16位),單個(gè)邏輯BANK的容量(數(shù)據(jù)深度)最多支持32M的容量。從這點(diǎn)上大家也不難看出為什么現(xiàn)在VIA芯片組的主板這么火了。 2.內(nèi)存條購(gòu)買標(biāo)準(zhǔn)的修正   

       大家都知道這么一個(gè)購(gòu)買常識(shí):購(gòu)買內(nèi)存時(shí)盡量選用單面內(nèi)存。但是這個(gè)經(jīng)驗(yàn)是來(lái)自這樣一個(gè)背景:許多不正規(guī)的小廠使用低容量芯片(比如已經(jīng)過(guò)時(shí)16Mbit)來(lái)制造目前使用的高容量?jī)?nèi)存條,由于單個(gè)芯片容量小,為了達(dá)到較大的內(nèi)存條容量,必然要增加芯片數(shù)目,而且這些過(guò)時(shí)的芯片很可能是一些翻新貨,并且芯片之間電氣參數(shù)的一致性也很差。不過(guò)根據(jù)分析更準(zhǔn)確地講購(gòu)買原則應(yīng)該:是選擇單物理BANK的內(nèi)存。以前由于大多數(shù)單面內(nèi)存都是單BANK內(nèi)存,所以大家一直就是這個(gè)說(shuō)法,實(shí)際上通過(guò)前面的分析我們知道內(nèi)存條的面數(shù)與物理BANK數(shù)是無(wú)關(guān)的。單個(gè)物理BANK,內(nèi)存只要取一組64位數(shù)據(jù),而不需要再切換到另外一個(gè)BANK讀去另外一組64位數(shù)據(jù),切換的時(shí)間省去了,性能必然有提高。目前由于一個(gè)DIMM插槽最多支持兩個(gè)物理BANK,BIOS設(shè)置中是對(duì)同一個(gè)內(nèi)存插槽的兩個(gè)BANK同時(shí)進(jìn)行速度調(diào)節(jié)的,比如BANK 0/1 DRAM Timing;BANK 2/3 DRAM Timing;BANK 4/5 DRAM Timing選項(xiàng)。,所以我們?cè)谶x擇內(nèi)存的時(shí)候應(yīng)該根據(jù)內(nèi)存條上芯片的編碼,確定內(nèi)存條是單BANK還是雙BANK,排除下面講到的DIMM插槽信號(hào)走線的影響,一根雙BANK的內(nèi)存條與兩根單BANK的內(nèi)存條在性能上是沒(méi)有多少差別的。能用一個(gè)插槽不要使用兩個(gè)插槽的說(shuō)法是沒(méi)有依據(jù)的??傮w上講3個(gè)DIMM插槽在總?cè)萘繚M足要求的情況下,使用BANK的數(shù)目愈少愈好。千萬(wàn)不要出現(xiàn)使用大量低容量芯片組裝的條子占用3個(gè)DIMM全部6個(gè)BANK的情況。 3.DIMM插槽超頻性能不一致與內(nèi)存BANK無(wú)關(guān)   

        前面我們說(shuō)了盡量減少DIMM插槽的使用,但是有時(shí)從保護(hù)已有投資考慮,以前購(gòu)買的低容量?jī)?nèi)存又不好丟棄,所以有時(shí)可能還會(huì)出現(xiàn)同時(shí)使用三個(gè)DIMM插槽的情況,但需要注意的是這時(shí)不一定同時(shí)使用全部6個(gè)BANK,很可能只使用了3個(gè)BANK。很多人發(fā)現(xiàn)這三個(gè)DIMM插槽所允許的最大速度是不同的(VIA主板BIOS允許分別對(duì)每個(gè)DIMM插槽進(jìn)行速度調(diào)節(jié)),一般DIMM2最高,DIMM1其次,DIMM3最差。這與內(nèi)存條的BANK有無(wú)關(guān)系呢?根據(jù)前面分析,筆者認(rèn)為無(wú)關(guān),這主要與內(nèi)存BANK控制信號(hào)在主板上的走線有關(guān),很多有4個(gè)DIMM插槽的BX主板,由于BX主板最大只能支持6個(gè)BANK,所以DIMM3與DIMM4的信號(hào)走線是共享的,因此導(dǎo)致DIMM2與DIMM3走線設(shè)計(jì)不一致而導(dǎo)致兩者的超頻性能相差極大。這也是一些內(nèi)存甚至無(wú)法用在DIMM3和DIMM4插槽上的主要原因。那么DIMM1為什么超頻性能還可以呢?主要是主板BIOS或北橋芯片檢測(cè)內(nèi)存時(shí)是按照BANK編號(hào)的順序進(jìn)行的,他們要求第一條內(nèi)存必須插在DIMM1上,所以設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)其進(jìn)行了一些電路上的優(yōu)化。所有一切與內(nèi)存的物理和邏輯BANK的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理無(wú)關(guān)。

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