近日，INTEL推出并發(fā)布了至強(qiáng)處理器E5-2600V3（Haswell-EP）產(chǎn)品系列，新的E5-2600V3至強(qiáng)處理器可用于服務(wù)器、工作站、存儲和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中，并能支持廣泛的工作負(fù)載，如數(shù)據(jù)分析、高性能運(yùn)算、電信和云服務(wù)，以及物聯(lián)網(wǎng)的后端處理等。
在E5-2600V3系列中，最高核心已經(jīng)達(dá)到18核心36線程，45MB三級緩存，QPI速度提升至最高9.6GT/s，并首次在服務(wù)器領(lǐng)域支持DDR4的內(nèi)存。比較遺憾的是我們沒有拿到E5-2699V3這個18核的性能怪獸，INTEL只發(fā)了兩顆10核20線程的E5 2650V3這個主流型號來做測試。本次測試我們就拿E5 2650V2與E5 2650V3做一個簡單對比測試。
如圖所示，左邊的CPU是E5 2650V3，右邊的CPU是E5 2650V2，兩者在處理器的正面與背面都有很大的不同。
就算是接口同為2011個觸點(diǎn)，但兩者的針腳布局及CPU PCB板邊緣防呆缺口的位置都是不一樣的。也就是說新的LGA2011接口E5-2600V3系列CPU是無法上到C600芯片組的上一代主板上面。
本次測試的硬件平臺，E5 2650V3 兩顆，鎂光16G RECC DDR4內(nèi)存兩根，ASUS Z10PR-D16，WD2T SE企業(yè)級硬盤，另外還有2個3U5熱管散熱器和新巨2U6510P電源。
作為在新平臺上首次出現(xiàn)的DDR4 RECC內(nèi)存，我們有必要仔細(xì)對比一下其與DDR3 RECC內(nèi)存的外觀差異。
DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。
本次測試中，E5-2650V3平臺我們使用的是鎂光的16GB 2Rx4 2133的RECC內(nèi)存。E5 -2650V2使用的是金士頓16G RECC DDR3 1600的內(nèi)存，都為雙CPU兩根內(nèi)存，單通道測試環(huán)境。
測試軟件方面，我們借助CPUZ,，AIDA64 Extrame，版本號：4.20.2833和4.50.3049（針對內(nèi)存)以及CINEBENCH R15，測試結(jié)果如下所示：
CPU-Z中已經(jīng)很詳細(xì)的列出了E5 2650V3及E5-2650V2的參數(shù)。在此就不多說，大家可以結(jié)合本文第一張圖對比來看。
CINEBENCH R15是一個基于測試CPU渲染能力的基準(zhǔn)測試軟件。其R15這個版本可以支持到超過16個物理核心。在測試中我們可以看到CPU使用率已經(jīng)達(dá)到99%
E5-2650V3和E5-2650V2在CINEBENCH R15的測試結(jié)果，在此測試項(xiàng)中，E5 2650V3比E5-2650V2提升出了20%
由于AIDA64的測試圖片都比較占位置，我們此次只拿出其中一張作個代表。另外，AIDA64從新的4.50版本開始支持DDR4的內(nèi)存測試，所以在內(nèi)存測試對比這塊我們用AIDA64 4.50這個版本。同時為了方便把新的E52650V3與上一個平臺的E52600V2測試結(jié)果作對比，在CPU性能測試這塊我們還是使得AIDA64 4.20這個版本。
CPU Queen 是測試CPU的分支預(yù)測能力，以及預(yù)測錯誤時所造成的效能影響。在此項(xiàng)測試中2650V3比2650V2有近30%的性能提升。CPU PhotoWorxx 著重于CPU的整數(shù)運(yùn)算能力、多核心運(yùn)算能力，CPU ZLib 是另一項(xiàng)針對CPU整數(shù)運(yùn)算的測試，利用Zlib這個壓縮演算法，來計算CPU在處理壓縮檔案時的能力。在這兩項(xiàng)針對CPU整數(shù)運(yùn)算的測試項(xiàng)中，兩個CPU相當(dāng)不大，10-20%的差異。同樣的整數(shù)測試，在HASH測試中，兩都幾乎沒有差別。在FPU Julia以及FPU Mandel這兩項(xiàng)評估CPU32位精度、64位精度的浮點(diǎn)運(yùn)算能力的測試中。E52650V3比E52650V2都提升了近50%。大家也可通過上表大概估計當(dāng)前平臺下的E5 2650V3在原有E52600V2產(chǎn)品系列中的性能定位。
E5 2650V3在雙CPU，單通道內(nèi)存情況下的CPU緩存及內(nèi)存讀取、寫入、拷貝及延遲的測試結(jié)果。
E5 2650V2在雙CPU，單通道內(nèi)存情況下的內(nèi)存讀取、寫入、拷貝及延遲的測試結(jié)果。通過上面兩張圖片我們不難看出對V3 V2兩個CPU在L1L2L3緩存的讀寫拷貝這三項(xiàng)測試內(nèi)容，E52650V3都比E52650V2要高，特別是在L1緩存上已經(jīng)超過100%。在內(nèi)存的讀取和拷貝這塊，E5 2650V3比E5 2650V2分別提升了16%和21%，在內(nèi)存寫入這項(xiàng)，兩者基本持平。
在本次測試的最后，針對整個測試平臺的穩(wěn)定性測試。在CPU及內(nèi)存加壓到滿負(fù)載100%情況下，E5 2650V3這個10核20線程的CPU最高溫度在55度，最大功耗92W，已經(jīng)接近TDP功耗105W。比較特別的是這兩根內(nèi)存的功耗測試時顯示分別達(dá)到了19W和最大的23W，發(fā)現(xiàn)此現(xiàn)象后，我們又在一個CPU環(huán)境下，分別上1根和2根DDR4內(nèi)存再次測試功耗，通過HWINFO64所顯示的情況還是這樣。由于此次測試中只有鎂光兩根內(nèi)存，沒有專門針對內(nèi)存做更換品牌再測試。同樣的軟件針對DD3RECC的測試中，單根DDR3 RECC16G功耗接近10W。所以目前還不能確認(rèn)是內(nèi)存的問題，還是測試軟件版本對DDR4支持不好的問題，這只有留到以后有條件再做測試了。
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