眾所周知，三星內(nèi)存是國際知名品牌，在服務(wù)器領(lǐng)域，特別是眾多品牌服務(wù)器中的保有量相當(dāng)巨大。此次收到由總代提供的16根三星16G RECC DDR3 內(nèi)存，我們將針對其基于C600芯片組，雙路E5 2600的內(nèi)存多通道性能進行一個簡單測試。
本次測試的內(nèi)存型號：三星16G 2R*4 PC3L-12800R-11-12-E2-D4，從型號的主要參數(shù)中不難看出此內(nèi)存為容量單條16G，2R*4的顆粒，意味著這種內(nèi)存可以支持在標(biāo)準雙路E5 2600平臺上16根內(nèi)存滿插。PC3L-12800R代表著DDR3低電壓1.35V 1600內(nèi)存，類型ECC_R。
16根三星16G DDR3 RECC 1600內(nèi)存的集體照。接下來我們介紹一下本次測試用的平臺及測試軟件。
每個CPU配4根和8根內(nèi)存的測試平臺。
魯大師這個軟件所羅列的硬件配置大體上對得上號，就不另外列表顯示測試平臺硬件了。
測試軟件方面，我們借助AIDA64 Extrame，版本號：4.20.2833，測試內(nèi)容就是該軟件所提供的關(guān)于內(nèi)存測試部分的功能。我們在雙E5 2600平臺情況下，分別針對單通道（32G）、四通道(128G)以及四通道擴展(256G)R 內(nèi)存性能進行測試。測試結(jié)果如下所示：
此圖為每個CPU配置1根三星16G RECC DDR3內(nèi)存，單通道模式下內(nèi)存的讀寫拷貝延遲等測試數(shù)據(jù)。
此圖為每個CPU配置4根三星16G RECC DDR3內(nèi)存，四通道模式下內(nèi)存的讀寫拷貝延遲等測試數(shù)據(jù)。
此圖為每個CPU配置8根三星16G RECC DDR3內(nèi)存，四通道擴展模式下內(nèi)存的讀寫拷貝延遲等測試數(shù)據(jù)。
從上圖我們不難看出，在同一硬件平臺下，四通道內(nèi)存的讀取、寫入及復(fù)制速度比單通道情況下有3-4倍的提升。在四通道（128G)及四通道擴展（256G）狀態(tài)下，內(nèi)存的的讀寫拷貝基本沒有變化。對整體性能沒有什么影響。在以上三種測試條件下，內(nèi)存的潛伏即延遲幾乎沒有差異。
上圖所示為不同內(nèi)存通道數(shù)情況下，我們針對雙路XEON E5 2650V2 CPU的計算性能測試結(jié)果。在CPU PhotoWorxx測試項中，多通道大內(nèi)存情況下，測試結(jié)果也是比單通道條件下的數(shù)值有3-4倍的提升。經(jīng)核實此測試項CPU PhotoWorxx 著重于CPU的整數(shù)運算能力、多核心運算能力并涉及到記憶體頻寬的運算能力，利用模擬數(shù)位影像處理來進行CPU效能的評估。這項測試需要頻繁及大量的記憶體存取操作，所以說這項測試不僅對處理器的要求很高，同時對內(nèi)存速度也有較高的要求。對于在影片處理，如影片壓縮、影片轉(zhuǎn)檔應(yīng)用比較多的人，此項得分越高越好。另外，在四通道和四通道擴展條件下，F(xiàn)PU Mandel和FPU Julia針對CPU32位、64位浮點運算能力兩項測試中，四通道擴展256G反而比128G 4通道測試數(shù)據(jù)低了近33%。這個值得注意。
接下來，我們把CPU和內(nèi)存的占用率跑到100%做一個加壓測試，在常溫滿載情況下，雙路E5 2650V2+三星256G內(nèi)存平臺，CPU與內(nèi)存的測試溫度都在60度左右。如果是封閉機箱再加上良好的通風(fēng)散熱，實際應(yīng)用平臺的溫度應(yīng)更低于此數(shù)值。
綜上所述，三星的RECC DDR3內(nèi)存的表現(xiàn)是中規(guī)中舉的。我們可以看出在單通道與四通道之間性能的巨大差異。在方案選型中，立足于自身應(yīng)用需求，合理搭配內(nèi)存容量與內(nèi)存通道數(shù)。
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